7-й Белорусско-Российский Семинар
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ И СИСТЕМЫ НА ИХ ОСНОВЕ

был проведён
Институтом физики им. Б. И. Степанова
Национальной Академии Наук Беларуси

1    5 июня 2009 г., Минск, Беларусь


Сборник трудов 7-го Семинара (pdf)

Семинар был проведён Институтом физики им. Б.И. Степанова Национальной Академии Наук Беларуси.
Семинар состоял из обзоров и регулярных устных сообщений, охватывающих широкий круг вопросов по физике и технике полупроводниковых лазеров, включая лазерные диоды, лазеры с электронным и оптическим возбуждением, а также по другим типам полупроводниковых источников и приёмников излучения, по технологии полупроводниковых гетероструктур и оптоэлектронных устройств на их основе, а также по их практическим применениям.
Рабочими языками Семинара были русский и английский.

Программный комитет:

Ж. И. Алферов (Санкт-Петербург, Россия)
В. В. Безотосный (Москва, Россия)
А. П. Богатов (Москва, Россия)
Л. И. Буров (Минск, Беларусь)
А. А. Горбацевич (Санкт-Петербург, Россия)
А. Л. Гурский (Минск, Беларусь)
В. П. Дураев (Москва, Россия)
М. М. Зверев (Москва, Россия)
С. В. Иванов (Санкт-Петербург, Россия)
В. В. Кабанов (Минск, Беларусь)
Н. С. Казак (Минск, Беларусь)
В. И. Козловский (Москва, Россия)
В. К. Кононенко (Минск, Беларусь)
П. С. Копьев (Санкт-Петербург, Россия)
Н. В. Кулешов (Минск, Беларусь)
В. Д. Курносов (Москва, Россия)
Е. В. Луценко (Минск, Беларусь)
 С. А. Малышев (Минск, Беларусь)
Г. Т. Микаелян (Саратов, Россия)
А. И. Надеждинский (Москва, Россия)
В. Накваски (Лодзь, Польша)
В. А. Орлович (Минск, Беларусь)
Г. Я. Рябцев (Минск, Беларусь)
С. Б. Севастъянов (Новосибирск, Россия)
В. Г. Сидоров (Санкт-Петербург, Россия)
В. Стрэнк (Вроцлав, Польша)
И. С. Тарасов (Санкт-Петербург, Россия)
В. М. Устинов (Санкт-Петербург, Россия)
М. Хойкен (Ахен, Германия)
А. П. Шкадаревич (Минск, Беларусь)
Г. П. Яблонский (Минск, Беларусь)
Ю. П. Яковлев (Санкт-Петербург, Россия)
С. Д. Якубович (Москва, Россия)

Оргкомитет:

Председатель Проф. докт. физ.-мат. наук Геннадий Петрович Яблонский
докт. физ.-мат. наук Геннадий Иванович Рябцев (приглашения, оргвзносы), проф. докт. физ.-мат. наук Валерий Константнович Кононенко (программа и сборник трудов Семинара), канд. физ.-мат. наук Евгений Викторович Луценко (жилье), канд. физ.-мат. наук Вячеслав Николаевич Павловский (встреча участников, транспортировка, экскурсия)
Cекретарь Семинара: Виталий Зигмундович Зубелевич
 

Программа Семинара

7th Belarusian-Russian Workshop
SEMICONDUCTOR LASERS AND SYSTEMS
1-5 June 2009, Minsk, Belarus

PROGRAMME

1 June, Monday

08.00‑14.00

Registration, meeting and visiting to the Laboratory of Semiconductor Physics and Techniques of Stepanov Institute of Physics of NAS of Belarus

14.00

Workshop Opening

Introductory Greetings. V. V. Kabanov, N. S. Kazak, G. P. Yablonskii. 

Section 1 - Injection Lasers

14.20-14.45

Invited report

Полупроводниковые лазеры в средней ИК-области спектра (2-4 мкм) на модах шепчущей галереи (MID-infrared WGM lasers)

Ю. П. Яковлев, А. П. Астахова, Е. А. Гребенщикова, К. В. Калинина, С. С. Кижаев, А. М. Монахов, В. В. Шерстнев, G. Boissier, R. Teissier, А. Н. Баранов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Russia
Institut d'Electronique du Sud (IES), Université Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS 5214), Montpellier, France

14.50-15.15

Invited report

Дискретно перестраиваемый одночастотный лазер с волоконными брэгговскими решетками (Tunable laser diodes with FBG)

В. П. Дураев

НПП «Нолатех», Москва, Россия

15.20-15.35

Лазеры с несущим волноводом на основе AlGaAs/InAlGaAs на длину волны 808 нм (808 nm Lasers with carrier waveguide based on AlGaAs/InAlGaAs)

А. А. Чельный, А. В. Алуев, В. А. Курешов, И. А. Ивченко, Ю. А. Ахмеров, А. В. Лютецкий, Т. А. Налет, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, И. С. Тарасов

ФГУП НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха, Москва, Россия
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия

15.40-15.55

Генерация разностной частоты в «двухчиповом» полупроводниковом лазере GaAs/InGaAs/InGaP (Difference-frequency generation in butt-joint diode semiconductor GaAs/InGaAs/InGaP laser)

В. Я. Алёшкин, В. И. Гавриленко, А. А. Дубинов, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, М. С. Желудев, А. А. Бирюков, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин

Институт физики микроструктур РАН, Н. Новгород, Россия
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского, Н. Новгород, Россия

16.00-16.30

Coffee Break

16.30-16.55

Invited report

Новые подходы в конструировании мощных полупроводниковых лазеров (New approaches in design of high-power semiconductor lasers)

И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия

17.00-17.25

Invited report

Мощные лазерные диоды спектральных диапазонов 808 и 970 нм (Powerful laser diodes for 808 and 970 nm spectral ranges)

В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия

17.30-17.55

Invited report

Вертикально-излучающие лазеры на основе наногетероструктур в системе материалов Al-In-Ga-As-N (VCSELs based on AlInGaAsN nanoheterostructures)

Н. А. Малеев, В. М. Устинов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия

18.00-18.15

Генерация и смешение TE0 и TE1 мод в резонаторе полупроводникового лазерного диода (Lasing and mixing of TE0 and TE1 modes in the cavity of a semiconductor laser diode)

М. Н. Колесников, С. М. Некоркин, А. А. Бирюков, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Вл. В. Кочаровский

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского, Н. Новгород, Россия
Институт физики микроструктур РАН, Н. Новгород, Россия
Институт прикладной физики РАН, Н. Новгород, Россия

18.20-18.35

Полупроводниковый лазерный диод GaAs/InGaAs/InGaP, выращенный на Ge-подложке (Semiconductor GaAs/InGaAs/InGaP laser diode grown on Ge substrate)

А. А. Бирюков, Б. Н. Звонков, М. Н. Колесников, С. М. Некоркин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского, Н. Новгород, Россия
Институт физики микроструктур РАН, Н. Новгород, Россия

18.40-18.55

Возможность создания широкоапертурного лазерного модуля на основе Nd-фосфатного стекла с диодной накачкой для сверхмощных лазерных систем (Possibility of creation of the diode pumped wide aperture laser module based on Nd-phosphate glass for superpower laser systems)

А. П. Богатов, С. Г. Гаранин, И. Н. Воронич, Г. Т. Микаелян, С. А. Сухарев, А. Н. Стародуб

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия
НИИЭФ-РФЯЦ, ОАО "НПП "ИНЖЕКТ", Саратов, Россия

2 June, Tuesday

Section 1 - Injection Lasers

09.00-09.25

Invited report

Polarization control in VCSELs with photonic crystals

M. Dems, K. Panajotov, W. Nakwaski

Institute of Physics, Technical University of Łódź, Łódź, Poland
Department of Applied Physics and Photonics, Vrije Universiteit Brussel, Brussels, Belgium

09.30-09.45

Анализ фазовых соотношений в импульсном излучении двухчастотного лазера с вертикальным внешним резонатором (Analysis of phase correlations in pulsed radiation of a dual-frequency vertical external-cavity surface-emitting laser)

М. Ю. Морозов, Ю. А. Морозов, И. В. Красникова

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН (Саратовский фил. ), Саратов, Россия
Саратовский государственный технический университет, Саратов, Россия

09.50-10.05

Modeling of an operation of InGaAs-GaAs quantum-dot GaAs-based vertical-cavity surface-emitting lasers

Ł. Piskorski

Institute of Physics, Technical University of Łódź, Łódź, Poland

10.10-10.20

Расчет спектральных характеристик квантово-каскадных лазерных структур с учетом несимметричных контуров уширения линии излучения (Calculation of spectral characteristics of quantum-cascade laser structures with taking into account nonsymmetrical contours of line emission broadening)

Д. В. Ушаков, В. К. Кононенко, И. С. Манак

Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

10.25-10.35

Поляризационные переключения в полупроводниковых инжекционных лазерах (Polarization switching in semiconductor injection lasers)

Л. И. Буров, А. С. Горбацевич, Е. С. Соколов

Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь

10.40-11.00

Coffee Break

11.00-11.25

Invited report

Advances in quantum cascade lasers grown by metalorganic vapour phase epitaxy

A. B. Krysa, J. S. Roberts, K. Kennedy, D. G. Revin, L. R. Wilson, J. W. Cockburn

EPSRC National Centre for III-V Technologies, Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield, United Kingdom
Lebedev Physical Institute RAS, Moscow, Russia
Department of Physics, University of Sheffield, Sheffield, United Kingdom

11.30-11.45

Technology for high power Mid-IR Sb-based extended-cavity semiconductor disk laser bonded on host substrate

J.-P. Perez, L. Cerutti, A. Laurain, A. Garnache, I. Sagnes

Institut d'Electronique du Sud, CNRS UMR5214, Université Montpellier 2
Laboratoire de Photonique et Nanostructures, CNRS UPR20, Marcoussis, France

11.50-12.00

Моделирование процесса генерации в двухслойном микрорезонаторе с оболочкой из полупроводниковой наноструктуры (Simulation of generation process in two-layered microresonator with semiconductor nanostructures shell)

Л. Астафьева, Г. Леднева

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

12.05-12.15

Свипирование частоты излучения квантоворазмерных гетеролазеров с учетом изменений ширины запрещенной зоны полупроводника (Sweeping the radiation frequency of quantum-well heterolasers with taking into account changes in the semiconductor band gap)

Б. Ф. Кунцевич, В. К. Кононенко

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

12.20-12.30

Модуляционный отклик диодно-накачиваемых твердотельных микрочип и мини-лазеров (Modulation response of diode-pumped solid-state microchip and mini-lasers)

С. В. Войтиков

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

12.35-12.50

Полупроводниковые оптические усилители с максимумом усиления на длине волны 1060 нм и приборы на их основе (Semiconductor optical amplifiers with gain maximum at 1060 nm and novel devices on them)

А. А. Лобинцов, М. В. Перевозчиков, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович

ООО «Суперлюминесцентные Диоды», Москва, Россия
МИРЭА (Технический университет), Москва, Россия

12.55-13.10

Охлаждение мощных диодных линеек и собранных из них модулей накачки твердотельных лазеров (Cooling of high power diode bars and assembled modules for pumping solid-state lasers)

В. В. Привезенцев, Е. А. Копина, И. В. Глухих, С. С. Поликарпов, С. В. Фролов

ГНЦ РФ-Физико-энергетический институт им. А. И. Лейпунского, Обнинск, Россия
ФГУП «НИИЭФА им. Д. В. Ефремова», С.-Петербург, Россия

13.15-13.25

Энергетические состояния примесей и дефектов в активном слое InAs/InAsSbP гетеролазеров (Energy states of dopants and defects in the active layer of InAs/InAsSbP heterolasers)

Т. В. Безъязычная, В. М. Зеленковский, В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, Г. И. Рябцев, Ю. П. Яковлев

Институт физико-органической химии НАН Беларуси, Минск, Беларусь
Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия

13.30-14.30

Lunch

Section 2 - Electron-beam and Optically Pumped Lasers

14.30-14.55

Invited report

Полупроводниковые лазеры видимого и УФ диапазона на основе широкозонных соединений А2В6 (Visible-UV semiconductor lasers based on wide-gap II-VI compounds)

С. В. Иванов, Е. В. Луценко, М. М. Зверев, A. Waag

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
МИРЭА, Москва, Россия
Institute of Semiconductor Technology, Braunschweig, Germany

15.00-15.25

Invited report

Новые результаты по полупроводниковым лазерам с продольной накачкой электронным пучком (New results on e-beam longitudinal pumped semiconductor lasers)

В. И. Козловский, П. И. Кузнецов, M. D. Tiberi

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия
Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Фрязино, Моск. обл., Россия
Principia LightWorks Inc. CA, USA

15.30-15.45

Генерация второй гармоники (312 нм) лазера с оптической накачкой наноструктуры InGaP/AlGaInP (312 nm of frequency doubled harmonics in InGaP/AlGaInP-nanostructure laser under optical pumping)

Б. М. Лаврушин, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия

15.50-16.05

Интегральный инжекционный А2В6/A3N лазерный конвертер на основе гетероструктуры с несколькими плоскостями квантовых точек CdSe/ZnSe (Integral injection А2В6/A3N laser converter based on heterostructure with several CdSe/ZnSe quantum dots planes)

С. В. Сорокин, И. В Седова, С. В. Гронин, С. В. Иванов, Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, Н. П. Тарасюк, Г. П. Яблонский

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, С.-Петербург, Россия
Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

16.10-16.25

Зеленый полупроводниковый лазер с оптической накачкой с активной областью на основе нескольких плоскостей квантовых точек CdSe/ZnSe (Optically pumped green semiconductor lasers with active region based on several planes of CdSe/ZnSe quantum dots)

И. В Седова, Е. В. Луценко, С. В. Сорокин, А. Г. Войнилович, Н. П. Тарасюк, С. В. Гронин, Г. П. Яблонский, С. В. Иванов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, С.-Петербург, Россия
Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

16.30-16.45

Многоэлементные лазеры с поперечной накачкой электронным пучком на основе ZnSe-содержащих гетероструктур (Multi-element ZnSe-based lasers with transverse electron beam pumping)

М. М. Зверев, Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, Д. В. Перегудов, В. Б. Студенов, С. В. Иванов, С. В. Сорокин, С. И. Гронин, И. В. Седова, П. С. Копьев, И. М. Олихов

Московский институт радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
ФГУП НИИ "Платан", Фрязино, Моск. обл., Россия

16.50-17.20

Coffee Break

17.20-17.45

Invited report

Er,Yb: YAB - новая активная среда для лазеров с диодной накачкой в спектральном диапазоне 1.5-1.6 мкм (Er,Yb: YAB as a novel active medium for diode pumped 1.5-1.6 µm lasers)

Н. В. Кулешов, Н. А. Толстик, В. Э. Кисель, Н. И. Леонюк

НИИ оптических материалов и технологий БНТУ, Минск, Беларусь
МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия

17.50-18.00

Новый диодно накачиваемый источник когерентного излучения в желтом диапазоне спектра (New solid-state diode pumped source of coherent yellow radiation)

А. Демидович, А. А. Кононович, A. С. Грабчиков, М. Данаилов, В. А. Орлович

LaserLab ELETTRA-Sincrotrone, Basovizza, Trieste, Italy
Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

18.05-18.15

Компактный лазерный излучатель на длине волны 1,54 мкм с пассивной модуляцией добротности (Compact 1.54 µm laser emitter with passive Q‑switching)

М. В. Богданович, Т. В. Безъязычная, В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, Г. И. Рябцев, А. В. Григорьев, А. Г. Рябцев, М. А. Щемелев

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь

18.20-18.30

Временные характеристики синего излучения, наблюдаемого при непрерывной ВКР генерации в диодно-накачиваемом композитном Nd: KGW/KGW лазере (Temporal properties of blue emission observed in diode pumped CW Raman laser based on composite Nd: KGW/KGW crystal )

И. А. Ходасевич, П. В. Шпак, А. С. Грабчиков, А. А. Корниенко, В. А. Орлович

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
Витебский государственный технологический университет, Витебск, Беларусь

18.35-18.45

Генерация видимого и инфракрасного многочастотного излучения в импульсном микрочип лазере с ВКР преобразованием (Generation of multi-frequency infrared and visible radiation in pulsed microchip laser with Raman conversion)

П. В. Шпак, А. А. Демидович, М. Б. Данаилов, А. С. Грабчиков, В. А. Орлович

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
LaserLab ELETTRA-Sincrotrone, Basovizza, Trieste, Italy

19.00

Welcome Party

3 June, Wednesday

Visiting to the laboratories at Stepanov Institute of Physics NASB. 
Excursion to the Mir and Nesvizh Castles. 

4 June, Thursday

Section 3 - Light-emitting and Superluminescence Diodes

09.00-09.25

Invited paper

Improved SLDs and SOAs for high-resolution optical coherence tomography

 

E. V. Andreeva, Yu. O. Kostin, P. I. Lapin, A. A. Lobintsov, M. V. Shramenko, S. D. Yakubovich

 

Superlum Diodes Ltd. , Moscow, Russia
MIREA (Technical University), Moscow, Russia

09.30-09.45

Мощные и широкополосные суперлюминесцентные диоды высокой надежности со спектральным максимумом в полосе 840-860 нм (High-power and broad-band reliable SLDs at 840-860 nm)

Ю. О. Костин, А. В. Куртепов, П. И. Лапин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, Д. Р. Сабитов, С. Д. Якубович

ООО «Суперлюминесцентные Диоды», Москва, Россия
ООО «Сигм Плюс», Москва, Россия
МИРЭА (Технический университет), Москва, Россия

09.50-10.15

Invited report

Светодиодные структуры из арсенида галлия, легированного амфотерными примесями, как модель для экспериментального изучения фундаментальных физических явлений в полупроводниках (Light-emitting GaAs structures doped with amphoteric impurities as a model for experimental study of fundamental physical phenomena in semiconductors)

В. Г. Сидоров

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
С.-Петербург, Россия

10.20-10.35

Результаты расчетов освещенностей от светодиодных модулей и исследований аномальных характеристик коэффициентов отклонения от закона квадрата расстояния (Calculations of illuminations from light-emitting diode modules and researches of abnormal characteristics of factors of a deviation from the law of a square of distance)

Э. М. Гутцайт, В. Э. Маслов, Т. А. Агафонова

Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
ООО «ЛЕДРУ», Москва, Россия
Всероссийский институт научно-технической информации, Москва, Россия

10.40-10.50

Исследования характеристик светоизлучающих LEC-панелей (Investigations of characteristics of light-emitting LEC panels)

Э. М. Гутцайт, В. Э. Маслов, Ф. В. Соркин

Московский энергетический институт (Технический университет), Москва
ООО «ЛЕДРУ», Москва, Россия
Московский институт радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия

10.55-11.05

Наноразмерные светодиодные модули на основе электродинамических систем с квантовыми «нитями» и «точками» (Nanosize light-emitting diode modules on the basis of electrodynamic systems with quantum «strings» and «points»)

Э. М. Гутцайт, А. А. Курушин

Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия

11.10-11.30

Coffee Break

11.30-11.40

Обобщенный тепловой анализ мощных светодиодов и гетеролазеров (Generalized thermal analysis of powerful light-emitting diodes and heterolasers)

Ю. А. Бумай, О. С. Васьков, В. К. Кононенко, Е. В. Луценко

Белорусский национальный технический университет, Минск, Беларусь
Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

11.45-11.55

Оптические и мощностные характеристики светодиодов c монтажной площадкой из анодированного алюминия (Optical and power characteristics of LEDs with anodized aluminum mounting plate)

Е. В. Луценко, А. В. Данильчик, Н. В. Ржеуцкий, В. З. Зубелевич, Н. И. Мухуров, С. С. Грабчиков

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
ГО "НПЦ НАН Беларуси по материаловедению", Минск, Беларусь

12.00-12.15

Эффективность излучения различных типов мощных белых светодиодов (Radiation efficiency of various types of high-power white LEDs)

Ю. В. Трофимов, В. И. Цвирко, С. И. Лишик

РНПУП «Центр светодиодных и оптоэлектронных технологий» НАН Беларуси, Минск, Беларусь

12.20-12.30

Использование тепловых труб в светодиодных устройствах (Heat pipes using in power LED devices)

Ю. В. Трофимов, С. И. Лишик, В. И. Цвирко, В. С. Поседько, В. В. Докторов, В. В. Мазюк

РНПУП «Центр светодиодных и оптоэлектронных технологий» НАН Беларуси, Минск, Беларусь
Институт порошковой металлургии НАН Беларуси, Минск, Беларусь

12.35-12.45

Термостабильный омический контакт к n+GaAs/AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероэпитаксиальным структурам (Thermostable ohmic contact to n+GaAs/AlGaAs/InGaAs/GaAs heteroepitaxial structures)

В. М. Кравченко, А. В. Кравченко

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

12.50-13.05

Гетероструктуры со слоями InAlN для оптоэлектронных применений (Heterostructures with InAlN layers for optoelectronic applications)

А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, М. А. Синицын, В. В. Лундин, Н. Ю. Гордеев, А. Ф. Цацульников

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, C. -Петербург, Россия

13.30-14.30

Lunch

Section 4 - Applications and Techniques

14.30-14.55

Invited paper

High power single frequency broadly tunable compact extended-cavity semiconductor laser for gas analysis

A. Laurain, A. Garnache, M. Myara, L. Cerutti, J. -P. Perez, P. Signoret, M. Triki, P. Cermak, D. Romanini, I. Sagnes, G. Beaudoin

Institut d'Electronique du Sud, CNRS UMR5214, Université Montpellier 2
Laboratoire de Spectrométrie Physique, CNRS UMR5588, St Martin d'Hères
Laboratoire de Photonique et Nanostructures, CNRS UPR20, Marcoussis, France

15.00-15.15

AlInGaN гетероструктуры для оптоэлектронных применений (AlInGaN heterostructures for optoelectronic applications)

Е. В. Луценко, А. В. Данильчик, А. Г. Войнилович, Н. В. Ржеуцкий, В. З. Зубелевич, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский, А. С. Шуленков, В. Н. Жмерик, А. М. Мизеров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, H. Kalisch, R. H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
Минский НИИ радиоматериалов, Минск, Беларусь
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
Institut für Theoretische Elektrotechnik, RWTH Aachen, Germany
AIXTRON AG, Aachen, Germany

15.20-15.30

Миниатюризированные камеры для детектирования газов с помощью диодно-лазерной оптико-акустической спектроскопии (Miniaturized cells for gas detection by laser-diode-based laser optico-acoustic spectroscopy)

А. В. Горелик, А. Л. Уласевич, В. А. Фираго, В. С. Старовойтов

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь

15.35-15.45

Оптический измеритель экологически-значимых параметров городских аэрозолей (Optical device for measurement of ecological important parameters of urban aerosols)

С. А. Лысенко, М. М. Кугейко

Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь

15.50-16.05

Компактный акустооптический модулятор в чистом режиме дифракции Рамана-Ната как фазовый модулятор при частотной стабилизации диодного лазера (Compact acoustooptical modulator in net Raman-Nath diffraction regime as a phase modulator at frequency stabilization of a diode laser)

В. Н. Барышев, В. М. Епихин, С. С. Курленков

ФГУП «ВНИИФТРИ», Менделеево, Моск. обл., Россия 
ФГУП НИИ «ПОЛЮС» им. М. Ф. Стельмаха, Москва, Россия

16.10-16.20

Полупроводниковые лазеры в микрорезонаторных системах визуализации ИК изображений (Semiconductor lasers in microresonator systems of the infrared image visualization)

А. К. Есман, В. К. Кулешов, Г. Л. Зыков

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

16.25-16.40

Структуры с GaN/AlGaN квантовыми точками для фотоприемников ИК излучения (GaN/AlGaN quantum dot structures for IR photodetectors)

К. С. Журавлев, В. Г. Мансуров, С. Н. Гриняев, Г. Ф. Караваев

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия
Томский государственный университет, Томск, Россия

16.45-16.55

Активно-импульсная система видения на основе полупроводниковых лазеров (Active-pulse system of vision on the basis of semiconductor lasers)

В. А. Горобец, В. В. Кабанов, Б. Ф. Кунцевич, В. О. Петухов, И. Н. Пучковский, В. С. Черников

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

17.00-17.10

Исследование возможностей использования микрочип лазера в составе лазерно-плазменного двигателя космического назначения (Study of microchip laser use possibility in laser-plasma thrusters for space application)

А. Н. Чумаков, А. С. Грабчиков, В. А. Орлович, П. В. Шпак, Н. А. Босак, А. М. Петренко, П. В. Чекан, П. Н. Малевич

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

17.15-17.30

Coffee Break

17.35-17.50

Рост эпитаксиальных слоев ZnSSe, ZnMgSSe и наноразмерных структур ZnSSe/ZnMgSSe методом ПФЭМОС на подложках GaP для УФ лазеров с накачкой электронным пучком (MOVPE growth of thick ZnSSe, ZnMgSSe epilayers and MQW structures on GaP substrates for UV e-beam pumped laser)

П. И. Кузнецов, В. И. Козловский

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Фрязино, Моск. обл., Россия
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия

17.55-18.10

Selective photoreceivers with two-coordinate sensitivity on the basis of III-V heterostructures

V. Dorogan, T. Vieru

Technical University of Moldova, Chisinau, Moldova

18.15-18.25

Photoreceivers with selective and modulated sensibility

V. Dorogan, T. Vieru, S. Vieru, A. Dorogan

Technical University of Moldova, Chisinau, Moldova

18.30-18.45

The apparatus for physical therapy on the basis of laser diodes

S. Vieru, V. Dorogan, T. Vieru

 

Technical University of Moldova, Chisinau, Moldova

18.50-19.00

Сперма рыб как объект для исследования механизмов биологической активности оптического излучения низкой интенсивности (Fish semen as an object for study of mechanisms of biological activity of low intensity optical radiation)

В. Ю. Плавский, Н. В. Барулин

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
УО «Белорусская государственная сельскохозяйственная академия», Горки, Могилёвская обл., Беларусь

19.05-19.15

Применение полупроводниковых лазеров и сверхъярких светодиодов в технологии воспроизводства и выращивания осетровых рыб (Application of laser diodes and ultra-high-brightness LEDs for sturgeon reproduction and growing technology)

В. Ю. Плавский, Н. В. Барулин

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
УО «Белорусская государственная сельскохозяйственная академия», Горки, Могилёвская обл., Беларусь

19.20-19.30

Перспективы использования полупроводниковых лазеров и сверхъярких светодиодов для антимикробной фотодинамической терапии (Prospects of use of LDs and ultra-high-brightness LEDs for antimicrobial photodynamic therapy)

В. Ю. Плавский, Л. Г. Плавская, А. И. Третьякова, А. Ю. Курочкина

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
Белорусская медицинская академия последипломного образования, Минск, Беларусь

5 June, Friday

 

Section 5 - Photonic Components, Characterization and Methods

09.00-09.15

Оптические, люминесцентные и фотовольтаические свойства слоев и гетероструктур солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2/Mo (Optical, luminescent and photovoltaic properties of layers and heterostructures of ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2/Mo solar cells)

Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, В. З. Зубелевич, Н. В. Ржеуцкий, Г. П. Яблонский, С. М. Насточкин, Е. А. Хохлов, Т. Б. Бояренко, В. Я. Ширипов

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
OOO «Изовак», Минск, Беларусь

09.20-09.35

Annealing studies on ZnO/CdS/CuInSe2 solar cells

V. A. Ivanov, V. F. Gremenok, V. B. Zalesski, T. R. Leonova, V. A. Emelyanov, V. S. Syakersky, R. R. Chyhir, K. Bente

SSPA "Scientific-Practical Materials Research Centre of NASB", Minsk, Belarus
Stepanov Institute of Physics, National Academy of Sciences of Belarus, Minsk, Belarus
Research and Production Corporation "Integral", Minsk, Belarus
Institut für Mineralogie, Kristallographie und Materialwissenschaft, Universität Leipzig, Leipzig, Germany

09.40-09.50

Photoluminescence of III-nitride heterostructures grown with nonpolar orientation on lithium aluminium oxide substrates

V. N. Pavlovskii, M. V. Rzheutski, E. V. Lutsenko, A. G. Vainilovich, A. V. Danilchyk, V. Z. Zubialevich, G. P. Yablonskii, H. Behmenburg, C. Mauder, H. Kalisch, R. H. Jansen, Y. Dikme, B. Schineller, M. Heuken

Stepanov Institute of Physics NASB, Minsk, Belarus
Institut für Theoretische Elektrotechnik, RWTH Aachen, Germany
AIXTRON AG, Herzogenrath, Germany

09.55-10.05

Усиление поглощения пленок фталоцианина меди наночастицами серебра (Light absorption enhancement in cuprum phthalocyanine films by silver nanoparticles)

Р. А. Дынич, А. Н. Понявина, В. В. Филиппов

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

10.10-10.20

Photoreceivers sensible to polarized radiation

N. N. Syrbu, A. V. Dorogan, I. G. Stamov

Technical University of Moldova, Chisinau, Moldova

10.25-10.40

The thermal shift effect of absorption spectra in RCE detectors

S. V. Gryshchenko, M. V. Klimenko, V. V. Lysak, I. A. Sukhoivanov

Kharkov National University of Radio Electronics, Kharkov, Ukraine
Department of Information and Communications, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju, Republic of Korea
Departamento de Electronica, FIMEE, Universidad de Guanajuato, Guanajuato, México

10.45-10.55

Интегрированная фотонная антенна на основе высокоскоростного фотодиода для систем радиосвязи с оптическими магистралями (Integrated photon antenna based on high-speed photodiode for the radio communication systems with optical pathways)

А. Л. Чиж, С. А. Малышев, Е. Ящишин

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
Институт радиоэлектроники Варшавского политехнического университета, Варшава, Польша

11.00-11.10

Оптические спектрально-селективные элементы, использующие эффект рассеивания света (Optical spectral and selective elements applied light scattering effect)

Г. А. Сукач, В. А. Манько, A. A. Манько

Национальный университет биоресурсов и использования природы Украины, Киев, Украина
Государственный университет информационно-коммуникационных технологий, Киев, Украина

11.15-11.30

Coffee Break

11.30-11.55

Invited paper

Thermoelectric properties of GaN nanoceramics

C. Sułkowski, A. Chuchmała, W. Stręk

Institute of Low Temperature and Structure Research, PAS, Wrocław, Poland
Institute of Electrotechnology, Wrocław, Poland

12.00-12.10

Ferromagnetic properties of hot-pressed GaN nanoceramics

A. J. Zaleski, P. Gluchowski, W. Stręk

Institute for Low Temperature and Structure Research, PAS, Wroclaw, Poland

12.15-12.25

Воздействие наноимпульсного лазерного излучения на тонкопленочную систему In/CdZnTe (Nanopulse laser radiation effect on In/CdZnTe thin film system)

Г. Д. Ивлев, Е. И. Гацкевич, Л. И. Постнова

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
Научно-практический центр по материаловедению НАН Беларуси, Минск, Беларусь

12.30-12.40

Метод оценки эффективности транспорта носителей заряда в активную область светоизлучающих гетероструктур (Method of estimation of effectiveness of charge carrier transport to active region of light-emitting heterostructures)

В. З. Зубелевич

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

12.45-12.55

Оптимизация дизайна гетероструктур AlGaN оптически накачиваемых лазеров для увеличения фактора оптического ограничения (Design optimization of AlGaN heterostructures of optically pumped lasers for enhancement of the optical confinement factor)

Н. П. Тарасюк, Е. В. Луценко, А. А. Гладыщук

Брестский государственный технический университет, Брест, Беларусь
Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

13.00-13.10

Экситонная фотолюминесценция - метод определения качества ZnO для электролюминесцентного рентгеновского преобразователя изображения (Exiton photoluminescence as a method to define ZnO quality for an electroluminescent X-ray transformer of images)

А. И. Андреев, В. А. Никитенко, С. М. Кокин, С. В. Мухин

Московский государственный университет путей сообщения, Москва, Россия

13.15-13.25

Оптика наноструктурированных оксидов металлов в красной и инфракрасной области спектра: результаты и дальнейшие перспективы (Optics of nanostructured metals oxides in the red and infrared spectral region: results and future prospects)

А. Я. Хайруллина, Т. В. Ольшанская, О. Н. Куданович, Т. Н. Воробьёва, О. Н. Врублевская, А. В. Кобец, Д. С. Филимоненко

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
НИИ физико-химических проблем БГУ, Минск, Беларусь

13.30-13.40

Использование отечественных полупроводниковых лазерных систем в фотодинамической терапии опухолей с применением фотосенсибилизаторов на основе хлорина е6 (Application of home-produced semiconductor laser systems in photodynamic therapy of tumours with chlorin e6 based photosensitizers)

В. Н. Чалов, Ю. П. Истомин, Т. П. Лапцевич, Д. А. Церковский, Н. А. Петровская, А. М. Курганович

ГУ РНПЦ онкологии и медицинской радиологии им. Н. Н. Александрова, Минск, Беларусь
ЗАО ЛЭМТ, Минск, Беларусь

13.45-14.00

Coffee Break

14.00

Workshop Closing


Важные даты

  • Регистрация была завершена 6-го апреля 2009 г.

  • Последнее время подачи рукописей в сборник трудов Семинара    10-е апреля 2009 г.

  • Публикация Сборника трудов Семинара    6-е мая 2009 г.

  • Официальные приглашения и Программа Семинара были посланы всем зарегистрированным участникам после 20-го апреля 2009 г. по электронной почте (в отсканированном виде) и/или обычной почтой (по требованию)


    • Программа Семинара

    7th Belarusian-Russian Workshop
    SEMICONDUCTOR LASERS AND SYSTEMS
    1-5 June 2009, Minsk, Belarus

    PROGRAMME

    1 June, Monday

    08.00‑14.00

    Registration, meeting and visiting to the Laboratory of Semiconductor Physics and Techniques of Stepanov Institute of Physics of NAS of Belarus

    14.00

    Workshop Opening

    Introductory Greetings. V. V. Kabanov, N. S. Kazak, G. P. Yablonskii. 

    Section 1 - Injection Lasers

    14.20-14.45

    Invited report

    Полупроводниковые лазеры в средней ИК-области спектра (2-4 мкм) на модах шепчущей галереи (MID-infrared WGM lasers)

    Ю. П. Яковлев, А. П. Астахова, Е. А. Гребенщикова, К. В. Калинина, С. С. Кижаев, А. М. Монахов, В. В. Шерстнев, G. Boissier, R. Teissier, А. Н. Баранов

    Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Russia
    Institut d'Electronique du Sud (IES), Université Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS 5214), Montpellier, France

    14.50-15.15

    Invited report

    Дискретно перестраиваемый одночастотный лазер с волоконными брэгговскими решетками (Tunable laser diodes with FBG)

    В. П. Дураев

    НПП «Нолатех», Москва, Россия

    15.20-15.35

    Лазеры с несущим волноводом на основе AlGaAs/InAlGaAs на длину волны 808 нм (808 nm Lasers with carrier waveguide based on AlGaAs/InAlGaAs)

    А. А. Чельный, А. В. Алуев, В. А. Курешов, И. А. Ивченко, Ю. А. Ахмеров, А. В. Лютецкий, Т. А. Налет, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, И. С. Тарасов

    ФГУП НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха, Москва, Россия
    Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия

    15.40-15.55

    Генерация разностной частоты в «двухчиповом» полупроводниковом лазере GaAs/InGaAs/InGaP (Difference-frequency generation in butt-joint diode semiconductor GaAs/InGaAs/InGaP laser)

    В. Я. Алёшкин, В. И. Гавриленко, А. А. Дубинов, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, М. С. Желудев, А. А. Бирюков, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин

    Институт физики микроструктур РАН, Н. Новгород, Россия
    Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского, Н. Новгород, Россия

    16.00-16.30

    Coffee Break

    16.30-16.55

    Invited report

    Новые подходы в конструировании мощных полупроводниковых лазеров (New approaches in design of high-power semiconductor lasers)

    И. С. Тарасов

    Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия

    17.00-17.25

    Invited report

    Мощные лазерные диоды спектральных диапазонов 808 и 970 нм (Powerful laser diodes for 808 and 970 nm spectral ranges)

    В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев

    Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия

    17.30-17.55

    Invited report

    Вертикально-излучающие лазеры на основе наногетероструктур в системе материалов Al-In-Ga-As-N (VCSELs based on AlInGaAsN nanoheterostructures)

    Н. А. Малеев, В. М. Устинов

    Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия

    18.00-18.15

    Генерация и смешение TE0 и TE1 мод в резонаторе полупроводникового лазерного диода (Lasing and mixing of TE0 and TE1 modes in the cavity of a semiconductor laser diode)

    М. Н. Колесников, С. М. Некоркин, А. А. Бирюков, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Вл. В. Кочаровский

    Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского, Н. Новгород, Россия
    Институт физики микроструктур РАН, Н. Новгород, Россия
    Институт прикладной физики РАН, Н. Новгород, Россия

    18.20-18.35

    Полупроводниковый лазерный диод GaAs/InGaAs/InGaP, выращенный на Ge-подложке (Semiconductor GaAs/InGaAs/InGaP laser diode grown on Ge substrate)

    А. А. Бирюков, Б. Н. Звонков, М. Н. Колесников, С. М. Некоркин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов

    Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского, Н. Новгород, Россия
    Институт физики микроструктур РАН, Н. Новгород, Россия

    18.40-18.55

    Возможность создания широкоапертурного лазерного модуля на основе Nd-фосфатного стекла с диодной накачкой для сверхмощных лазерных систем (Possibility of creation of the diode pumped wide aperture laser module based on Nd-phosphate glass for superpower laser systems)

    А. П. Богатов, С. Г. Гаранин, И. Н. Воронич, Г. Т. Микаелян, С. А. Сухарев, А. Н. Стародуб

    Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия
    НИИЭФ-РФЯЦ, ОАО "НПП "ИНЖЕКТ", Саратов, Россия

    2 June, Tuesday

    Section 1 - Injection Lasers

    09.00-09.25

    Invited report

    Polarization control in VCSELs with photonic crystals

    M. Dems, K. Panajotov, W. Nakwaski

    Institute of Physics, Technical University of Łódź, Łódź, Poland
    Department of Applied Physics and Photonics, Vrije Universiteit Brussel, Brussels, Belgium

    09.30-09.45

    Анализ фазовых соотношений в импульсном излучении двухчастотного лазера с вертикальным внешним резонатором (Analysis of phase correlations in pulsed radiation of a dual-frequency vertical external-cavity surface-emitting laser)

    М. Ю. Морозов, Ю. А. Морозов, И. В. Красникова

    Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН (Саратовский фил. ), Саратов, Россия
    Саратовский государственный технический университет, Саратов, Россия

    09.50-10.05

    Modeling of an operation of InGaAs-GaAs quantum-dot GaAs-based vertical-cavity surface-emitting lasers

    Ł. Piskorski

    Institute of Physics, Technical University of Łódź, Łódź, Poland

    10.10-10.20

    Расчет спектральных характеристик квантово-каскадных лазерных структур с учетом несимметричных контуров уширения линии излучения (Calculation of spectral characteristics of quantum-cascade laser structures with taking into account nonsymmetrical contours of line emission broadening)

    Д. В. Ушаков, В. К. Кононенко, И. С. Манак

    Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

    10.25-10.35

    Поляризационные переключения в полупроводниковых инжекционных лазерах (Polarization switching in semiconductor injection lasers)

    Л. И. Буров, А. С. Горбацевич, Е. С. Соколов

    Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь

    10.40-11.00

    Coffee Break

    11.00-11.25

    Invited report

    Advances in quantum cascade lasers grown by metalorganic vapour phase epitaxy

    A. B. Krysa, J. S. Roberts, K. Kennedy, D. G. Revin, L. R. Wilson, J. W. Cockburn

    EPSRC National Centre for III-V Technologies, Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield, United Kingdom
    Lebedev Physical Institute RAS, Moscow, Russia
    Department of Physics, University of Sheffield, Sheffield, United Kingdom

    11.30-11.45

    Technology for high power Mid-IR Sb-based extended-cavity semiconductor disk laser bonded on host substrate

    J.-P. Perez, L. Cerutti, A. Laurain, A. Garnache, I. Sagnes

    Institut d'Electronique du Sud, CNRS UMR5214, Université Montpellier 2
    Laboratoire de Photonique et Nanostructures, CNRS UPR20, Marcoussis, France

    11.50-12.00

    Моделирование процесса генерации в двухслойном микрорезонаторе с оболочкой из полупроводниковой наноструктуры (Simulation of generation process in two-layered microresonator with semiconductor nanostructures shell)

    Л. Астафьева, Г. Леднева

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

    12.05-12.15

    Свипирование частоты излучения квантоворазмерных гетеролазеров с учетом изменений ширины запрещенной зоны полупроводника (Sweeping the radiation frequency of quantum-well heterolasers with taking into account changes in the semiconductor band gap)

    Б. Ф. Кунцевич, В. К. Кононенко

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

    12.20-12.30

    Модуляционный отклик диодно-накачиваемых твердотельных микрочип и мини-лазеров (Modulation response of diode-pumped solid-state microchip and mini-lasers)

    С. В. Войтиков

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

    12.35-12.50

    Полупроводниковые оптические усилители с максимумом усиления на длине волны 1060 нм и приборы на их основе (Semiconductor optical amplifiers with gain maximum at 1060 nm and novel devices on them)

    А. А. Лобинцов, М. В. Перевозчиков, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович

    ООО «Суперлюминесцентные Диоды», Москва, Россия
    МИРЭА (Технический университет), Москва, Россия

    12.55-13.10

    Охлаждение мощных диодных линеек и собранных из них модулей накачки твердотельных лазеров (Cooling of high power diode bars and assembled modules for pumping solid-state lasers)

    В. В. Привезенцев, Е. А. Копина, И. В. Глухих, С. С. Поликарпов, С. В. Фролов

    ГНЦ РФ-Физико-энергетический институт им. А. И. Лейпунского, Обнинск, Россия
    ФГУП «НИИЭФА им. Д. В. Ефремова», С.-Петербург, Россия

    13.15-13.25

    Энергетические состояния примесей и дефектов в активном слое InAs/InAsSbP гетеролазеров (Energy states of dopants and defects in the active layer of InAs/InAsSbP heterolasers)

    Т. В. Безъязычная, В. М. Зеленковский, В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, Г. И. Рябцев, Ю. П. Яковлев

    Институт физико-органической химии НАН Беларуси, Минск, Беларусь
    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
    Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия

    13.30-14.30

    Lunch

    Section 2 - Electron-beam and Optically Pumped Lasers

    14.30-14.55

    Invited report

    Полупроводниковые лазеры видимого и УФ диапазона на основе широкозонных соединений А2В6 (Visible-UV semiconductor lasers based on wide-gap II-VI compounds)

    С. В. Иванов, Е. В. Луценко, М. М. Зверев, A. Waag

    Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
    МИРЭА, Москва, Россия
    Institute of Semiconductor Technology, Braunschweig, Germany

    15.00-15.25

    Invited report

    Новые результаты по полупроводниковым лазерам с продольной накачкой электронным пучком (New results on e-beam longitudinal pumped semiconductor lasers)

    В. И. Козловский, П. И. Кузнецов, M. D. Tiberi

    Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия
    Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Фрязино, Моск. обл., Россия
    Principia LightWorks Inc. CA, USA

    15.30-15.45

    Генерация второй гармоники (312 нм) лазера с оптической накачкой наноструктуры InGaP/AlGaInP (312 nm of frequency doubled harmonics in InGaP/AlGaInP-nanostructure laser under optical pumping)

    Б. М. Лаврушин, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский

    Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия

    15.50-16.05

    Интегральный инжекционный А2В6/A3N лазерный конвертер на основе гетероструктуры с несколькими плоскостями квантовых точек CdSe/ZnSe (Integral injection А2В6/A3N laser converter based on heterostructure with several CdSe/ZnSe quantum dots planes)

    С. В. Сорокин, И. В Седова, С. В. Гронин, С. В. Иванов, Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, Н. П. Тарасюк, Г. П. Яблонский

    Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, С.-Петербург, Россия
    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

    16.10-16.25

    Зеленый полупроводниковый лазер с оптической накачкой с активной областью на основе нескольких плоскостей квантовых точек CdSe/ZnSe (Optically pumped green semiconductor lasers with active region based on several planes of CdSe/ZnSe quantum dots)

    И. В Седова, Е. В. Луценко, С. В. Сорокин, А. Г. Войнилович, Н. П. Тарасюк, С. В. Гронин, Г. П. Яблонский, С. В. Иванов

    Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, С.-Петербург, Россия
    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

    16.30-16.45

    Многоэлементные лазеры с поперечной накачкой электронным пучком на основе ZnSe-содержащих гетероструктур (Multi-element ZnSe-based lasers with transverse electron beam pumping)

    М. М. Зверев, Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, Д. В. Перегудов, В. Б. Студенов, С. В. Иванов, С. В. Сорокин, С. И. Гронин, И. В. Седова, П. С. Копьев, И. М. Олихов

    Московский институт радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
    Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
    ФГУП НИИ "Платан", Фрязино, Моск. обл., Россия

    16.50-17.20

    Coffee Break

    17.20-17.45

    Invited report

    Er,Yb: YAB - новая активная среда для лазеров с диодной накачкой в спектральном диапазоне 1.5-1.6 мкм (Er,Yb: YAB as a novel active medium for diode pumped 1.5-1.6 µm lasers)

    Н. В. Кулешов, Н. А. Толстик, В. Э. Кисель, Н. И. Леонюк

    НИИ оптических материалов и технологий БНТУ, Минск, Беларусь
    МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия

    17.50-18.00

    Новый диодно накачиваемый источник когерентного излучения в желтом диапазоне спектра (New solid-state diode pumped source of coherent yellow radiation)

    А. Демидович, А. А. Кононович, A. С. Грабчиков, М. Данаилов, В. А. Орлович

    LaserLab ELETTRA-Sincrotrone, Basovizza, Trieste, Italy
    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

    18.05-18.15

    Компактный лазерный излучатель на длине волны 1,54 мкм с пассивной модуляцией добротности (Compact 1.54 µm laser emitter with passive Q‑switching)

    М. В. Богданович, Т. В. Безъязычная, В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, Г. И. Рябцев, А. В. Григорьев, А. Г. Рябцев, М. А. Щемелев

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
    Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь

    18.20-18.30

    Временные характеристики синего излучения, наблюдаемого при непрерывной ВКР генерации в диодно-накачиваемом композитном Nd: KGW/KGW лазере (Temporal properties of blue emission observed in diode pumped CW Raman laser based on composite Nd: KGW/KGW crystal )

    И. А. Ходасевич, П. В. Шпак, А. С. Грабчиков, А. А. Корниенко, В. А. Орлович

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
    Витебский государственный технологический университет, Витебск, Беларусь

    18.35-18.45

    Генерация видимого и инфракрасного многочастотного излучения в импульсном микрочип лазере с ВКР преобразованием (Generation of multi-frequency infrared and visible radiation in pulsed microchip laser with Raman conversion)

    П. В. Шпак, А. А. Демидович, М. Б. Данаилов, А. С. Грабчиков, В. А. Орлович

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
    LaserLab ELETTRA-Sincrotrone, Basovizza, Trieste, Italy

    19.00

    Welcome Party

    3 June, Wednesday

    Visiting to the laboratories at Stepanov Institute of Physics NASB. 
    Excursion to the Mir and Nesvizh Castles. 

    4 June, Thursday

    Section 3 - Light-emitting and Superluminescence Diodes

    09.00-09.25

    Invited paper

    Improved SLDs and SOAs for high-resolution optical coherence tomography

     

    E. V. Andreeva, Yu. O. Kostin, P. I. Lapin, A. A. Lobintsov, M. V. Shramenko, S. D. Yakubovich

     

    Superlum Diodes Ltd. , Moscow, Russia
    MIREA (Technical University), Moscow, Russia

    09.30-09.45

    Мощные и широкополосные суперлюминесцентные диоды высокой надежности со спектральным максимумом в полосе 840-860 нм (High-power and broad-band reliable SLDs at 840-860 nm)

    Ю. О. Костин, А. В. Куртепов, П. И. Лапин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, Д. Р. Сабитов, С. Д. Якубович

    ООО «Суперлюминесцентные Диоды», Москва, Россия
    ООО «Сигм Плюс», Москва, Россия
    МИРЭА (Технический университет), Москва, Россия

    09.50-10.15

    Invited report

    Светодиодные структуры из арсенида галлия, легированного амфотерными примесями, как модель для экспериментального изучения фундаментальных физических явлений в полупроводниках (Light-emitting GaAs structures doped with amphoteric impurities as a model for experimental study of fundamental physical phenomena in semiconductors)

    В. Г. Сидоров

    Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
    С.-Петербург, Россия

    10.20-10.35

    Результаты расчетов освещенностей от светодиодных модулей и исследований аномальных характеристик коэффициентов отклонения от закона квадрата расстояния (Calculations of illuminations from light-emitting diode modules and researches of abnormal characteristics of factors of a deviation from the law of a square of distance)

    Э. М. Гутцайт, В. Э. Маслов, Т. А. Агафонова

    Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
    ООО «ЛЕДРУ», Москва, Россия
    Всероссийский институт научно-технической информации, Москва, Россия

    10.40-10.50

    Исследования характеристик светоизлучающих LEC-панелей (Investigations of characteristics of light-emitting LEC panels)

    Э. М. Гутцайт, В. Э. Маслов, Ф. В. Соркин

    Московский энергетический институт (Технический университет), Москва
    ООО «ЛЕДРУ», Москва, Россия
    Московский институт радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия

    10.55-11.05

    Наноразмерные светодиодные модули на основе электродинамических систем с квантовыми «нитями» и «точками» (Nanosize light-emitting diode modules on the basis of electrodynamic systems with quantum «strings» and «points»)

    Э. М. Гутцайт, А. А. Курушин

    Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия

    11.10-11.30

    Coffee Break

    11.30-11.40

    Обобщенный тепловой анализ мощных светодиодов и гетеролазеров (Generalized thermal analysis of powerful light-emitting diodes and heterolasers)

    Ю. А. Бумай, О. С. Васьков, В. К. Кононенко, Е. В. Луценко

    Белорусский национальный технический университет, Минск, Беларусь
    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

    11.45-11.55

    Оптические и мощностные характеристики светодиодов c монтажной площадкой из анодированного алюминия (Optical and power characteristics of LEDs with anodized aluminum mounting plate)

    Е. В. Луценко, А. В. Данильчик, Н. В. Ржеуцкий, В. З. Зубелевич, Н. И. Мухуров, С. С. Грабчиков

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
    ГО "НПЦ НАН Беларуси по материаловедению", Минск, Беларусь

    12.00-12.15

    Эффективность излучения различных типов мощных белых светодиодов (Radiation efficiency of various types of high-power white LEDs)

    Ю. В. Трофимов, В. И. Цвирко, С. И. Лишик

    РНПУП «Центр светодиодных и оптоэлектронных технологий» НАН Беларуси, Минск, Беларусь

    12.20-12.30

    Использование тепловых труб в светодиодных устройствах (Heat pipes using in power LED devices)

    Ю. В. Трофимов, С. И. Лишик, В. И. Цвирко, В. С. Поседько, В. В. Докторов, В. В. Мазюк

    РНПУП «Центр светодиодных и оптоэлектронных технологий» НАН Беларуси, Минск, Беларусь
    Институт порошковой металлургии НАН Беларуси, Минск, Беларусь

    12.35-12.45

    Термостабильный омический контакт к n+GaAs/AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероэпитаксиальным структурам (Thermostable ohmic contact to n+GaAs/AlGaAs/InGaAs/GaAs heteroepitaxial structures)

    В. М. Кравченко, А. В. Кравченко

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

    12.50-13.05

    Гетероструктуры со слоями InAlN для оптоэлектронных применений (Heterostructures with InAlN layers for optoelectronic applications)

    А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, М. А. Синицын, В. В. Лундин, Н. Ю. Гордеев, А. Ф. Цацульников

    Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, C. -Петербург, Россия

    13.30-14.30

    Lunch

    Section 4 - Applications and Techniques

    14.30-14.55

    Invited paper

    High power single frequency broadly tunable compact extended-cavity semiconductor laser for gas analysis

    A. Laurain, A. Garnache, M. Myara, L. Cerutti, J. -P. Perez, P. Signoret, M. Triki, P. Cermak, D. Romanini, I. Sagnes, G. Beaudoin

    Institut d'Electronique du Sud, CNRS UMR5214, Université Montpellier 2
    Laboratoire de Spectrométrie Physique, CNRS UMR5588, St Martin d'Hères
    Laboratoire de Photonique et Nanostructures, CNRS UPR20, Marcoussis, France

    15.00-15.15

    AlInGaN гетероструктуры для оптоэлектронных применений (AlInGaN heterostructures for optoelectronic applications)

    Е. В. Луценко, А. В. Данильчик, А. Г. Войнилович, Н. В. Ржеуцкий, В. З. Зубелевич, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский, А. С. Шуленков, В. Н. Жмерик, А. М. Мизеров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, H. Kalisch, R. H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
    Минский НИИ радиоматериалов, Минск, Беларусь
    Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
    Institut für Theoretische Elektrotechnik, RWTH Aachen, Germany
    AIXTRON AG, Aachen, Germany

    15.20-15.30

    Миниатюризированные камеры для детектирования газов с помощью диодно-лазерной оптико-акустической спектроскопии (Miniaturized cells for gas detection by laser-diode-based laser optico-acoustic spectroscopy)

    А. В. Горелик, А. Л. Уласевич, В. А. Фираго, В. С. Старовойтов

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
    Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь

    15.35-15.45

    Оптический измеритель экологически-значимых параметров городских аэрозолей (Optical device for measurement of ecological important parameters of urban aerosols)

    С. А. Лысенко, М. М. Кугейко

    Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь

    15.50-16.05

    Компактный акустооптический модулятор в чистом режиме дифракции Рамана-Ната как фазовый модулятор при частотной стабилизации диодного лазера (Compact acoustooptical modulator in net Raman-Nath diffraction regime as a phase modulator at frequency stabilization of a diode laser)

    В. Н. Барышев, В. М. Епихин, С. С. Курленков

    ФГУП «ВНИИФТРИ», Менделеево, Моск. обл., Россия 
    ФГУП НИИ «ПОЛЮС» им. М. Ф. Стельмаха, Москва, Россия

    16.10-16.20

    Полупроводниковые лазеры в микрорезонаторных системах визуализации ИК изображений (Semiconductor lasers in microresonator systems of the infrared image visualization)

    А. К. Есман, В. К. Кулешов, Г. Л. Зыков

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

    16.25-16.40

    Структуры с GaN/AlGaN квантовыми точками для фотоприемников ИК излучения (GaN/AlGaN quantum dot structures for IR photodetectors)

    К. С. Журавлев, В. Г. Мансуров, С. Н. Гриняев, Г. Ф. Караваев

    Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия
    Томский государственный университет, Томск, Россия

    16.45-16.55

    Активно-импульсная система видения на основе полупроводниковых лазеров (Active-pulse system of vision on the basis of semiconductor lasers)

    В. А. Горобец, В. В. Кабанов, Б. Ф. Кунцевич, В. О. Петухов, И. Н. Пучковский, В. С. Черников

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

    17.00-17.10

    Исследование возможностей использования микрочип лазера в составе лазерно-плазменного двигателя космического назначения (Study of microchip laser use possibility in laser-plasma thrusters for space application)

    А. Н. Чумаков, А. С. Грабчиков, В. А. Орлович, П. В. Шпак, Н. А. Босак, А. М. Петренко, П. В. Чекан, П. Н. Малевич

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

    17.15-17.30

    Coffee Break

    17.35-17.50

    Рост эпитаксиальных слоев ZnSSe, ZnMgSSe и наноразмерных структур ZnSSe/ZnMgSSe методом ПФЭМОС на подложках GaP для УФ лазеров с накачкой электронным пучком (MOVPE growth of thick ZnSSe, ZnMgSSe epilayers and MQW structures on GaP substrates for UV e-beam pumped laser)

    П. И. Кузнецов, В. И. Козловский

    Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Фрязино, Моск. обл., Россия
    Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия

    17.55-18.10

    Selective photoreceivers with two-coordinate sensitivity on the basis of III-V heterostructures

    V. Dorogan, T. Vieru

    Technical University of Moldova, Chisinau, Moldova

    18.15-18.25

    Photoreceivers with selective and modulated sensibility

    V. Dorogan, T. Vieru, S. Vieru, A. Dorogan

    Technical University of Moldova, Chisinau, Moldova

    18.30-18.45

    The apparatus for physical therapy on the basis of laser diodes

    S. Vieru, V. Dorogan, T. Vieru

     

    Technical University of Moldova, Chisinau, Moldova

    18.50-19.00

    Сперма рыб как объект для исследования механизмов биологической активности оптического излучения низкой интенсивности (Fish semen as an object for study of mechanisms of biological activity of low intensity optical radiation)

    В. Ю. Плавский, Н. В. Барулин

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
    УО «Белорусская государственная сельскохозяйственная академия», Горки, Могилёвская обл., Беларусь

    19.05-19.15

    Применение полупроводниковых лазеров и сверхъярких светодиодов в технологии воспроизводства и выращивания осетровых рыб (Application of laser diodes and ultra-high-brightness LEDs for sturgeon reproduction and growing technology)

    В. Ю. Плавский, Н. В. Барулин

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
    УО «Белорусская государственная сельскохозяйственная академия», Горки, Могилёвская обл., Беларусь

    19.20-19.30

    Перспективы использования полупроводниковых лазеров и сверхъярких светодиодов для антимикробной фотодинамической терапии (Prospects of use of LDs and ultra-high-brightness LEDs for antimicrobial photodynamic therapy)

    В. Ю. Плавский, Л. Г. Плавская, А. И. Третьякова, А. Ю. Курочкина

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
    Белорусская медицинская академия последипломного образования, Минск, Беларусь

    5 June, Friday

     

    Section 5 - Photonic Components, Characterization and Methods

    09.00-09.15

    Оптические, люминесцентные и фотовольтаические свойства слоев и гетероструктур солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2/Mo (Optical, luminescent and photovoltaic properties of layers and heterostructures of ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2/Mo solar cells)

    Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, В. З. Зубелевич, Н. В. Ржеуцкий, Г. П. Яблонский, С. М. Насточкин, Е. А. Хохлов, Т. Б. Бояренко, В. Я. Ширипов

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
    OOO «Изовак», Минск, Беларусь

    09.20-09.35

    Annealing studies on ZnO/CdS/CuInSe2 solar cells

    V. A. Ivanov, V. F. Gremenok, V. B. Zalesski, T. R. Leonova, V. A. Emelyanov, V. S. Syakersky, R. R. Chyhir, K. Bente

    SSPA "Scientific-Practical Materials Research Centre of NASB", Minsk, Belarus
    Stepanov Institute of Physics, National Academy of Sciences of Belarus, Minsk, Belarus
    Research and Production Corporation "Integral", Minsk, Belarus
    Institut für Mineralogie, Kristallographie und Materialwissenschaft, Universität Leipzig, Leipzig, Germany

    09.40-09.50

    Photoluminescence of III-nitride heterostructures grown with nonpolar orientation on lithium aluminium oxide substrates

    V. N. Pavlovskii, M. V. Rzheutski, E. V. Lutsenko, A. G. Vainilovich, A. V. Danilchyk, V. Z. Zubialevich, G. P. Yablonskii, H. Behmenburg, C. Mauder, H. Kalisch, R. H. Jansen, Y. Dikme, B. Schineller, M. Heuken

    Stepanov Institute of Physics NASB, Minsk, Belarus
    Institut für Theoretische Elektrotechnik, RWTH Aachen, Germany
    AIXTRON AG, Herzogenrath, Germany

    09.55-10.05

    Усиление поглощения пленок фталоцианина меди наночастицами серебра (Light absorption enhancement in cuprum phthalocyanine films by silver nanoparticles)

    Р. А. Дынич, А. Н. Понявина, В. В. Филиппов

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

    10.10-10.20

    Photoreceivers sensible to polarized radiation

    N. N. Syrbu, A. V. Dorogan, I. G. Stamov

    Technical University of Moldova, Chisinau, Moldova

    10.25-10.40

    The thermal shift effect of absorption spectra in RCE detectors

    S. V. Gryshchenko, M. V. Klimenko, V. V. Lysak, I. A. Sukhoivanov

    Kharkov National University of Radio Electronics, Kharkov, Ukraine
    Department of Information and Communications, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju, Republic of Korea
    Departamento de Electronica, FIMEE, Universidad de Guanajuato, Guanajuato, México

    10.45-10.55

    Интегрированная фотонная антенна на основе высокоскоростного фотодиода для систем радиосвязи с оптическими магистралями (Integrated photon antenna based on high-speed photodiode for the radio communication systems with optical pathways)

    А. Л. Чиж, С. А. Малышев, Е. Ящишин

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
    Институт радиоэлектроники Варшавского политехнического университета, Варшава, Польша

    11.00-11.10

    Оптические спектрально-селективные элементы, использующие эффект рассеивания света (Optical spectral and selective elements applied light scattering effect)

    Г. А. Сукач, В. А. Манько, A. A. Манько

    Национальный университет биоресурсов и использования природы Украины, Киев, Украина
    Государственный университет информационно-коммуникационных технологий, Киев, Украина

    11.15-11.30

    Coffee Break

    11.30-11.55

    Invited paper

    Thermoelectric properties of GaN nanoceramics

    C. Sułkowski, A. Chuchmała, W. Stręk

    Institute of Low Temperature and Structure Research, PAS, Wrocław, Poland
    Institute of Electrotechnology, Wrocław, Poland

    12.00-12.10

    Ferromagnetic properties of hot-pressed GaN nanoceramics

    A. J. Zaleski, P. Gluchowski, W. Stręk

    Institute for Low Temperature and Structure Research, PAS, Wroclaw, Poland

    12.15-12.25

    Воздействие наноимпульсного лазерного излучения на тонкопленочную систему In/CdZnTe (Nanopulse laser radiation effect on In/CdZnTe thin film system)

    Г. Д. Ивлев, Е. И. Гацкевич, Л. И. Постнова

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
    Научно-практический центр по материаловедению НАН Беларуси, Минск, Беларусь

    12.30-12.40

    Метод оценки эффективности транспорта носителей заряда в активную область светоизлучающих гетероструктур (Method of estimation of effectiveness of charge carrier transport to active region of light-emitting heterostructures)

    В. З. Зубелевич

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

    12.45-12.55

    Оптимизация дизайна гетероструктур AlGaN оптически накачиваемых лазеров для увеличения фактора оптического ограничения (Design optimization of AlGaN heterostructures of optically pumped lasers for enhancement of the optical confinement factor)

    Н. П. Тарасюк, Е. В. Луценко, А. А. Гладыщук

    Брестский государственный технический университет, Брест, Беларусь
    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь

    13.00-13.10

    Экситонная фотолюминесценция - метод определения качества ZnO для электролюминесцентного рентгеновского преобразователя изображения (Exiton photoluminescence as a method to define ZnO quality for an electroluminescent X-ray transformer of images)

    А. И. Андреев, В. А. Никитенко, С. М. Кокин, С. В. Мухин

    Московский государственный университет путей сообщения, Москва, Россия

    13.15-13.25

    Оптика наноструктурированных оксидов металлов в красной и инфракрасной области спектра: результаты и дальнейшие перспективы (Optics of nanostructured metals oxides in the red and infrared spectral region: results and future prospects)

    А. Я. Хайруллина, Т. В. Ольшанская, О. Н. Куданович, Т. Н. Воробьёва, О. Н. Врублевская, А. В. Кобец, Д. С. Филимоненко

    Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
    НИИ физико-химических проблем БГУ, Минск, Беларусь

    13.30-13.40

    Использование отечественных полупроводниковых лазерных систем в фотодинамической терапии опухолей с применением фотосенсибилизаторов на основе хлорина е6 (Application of home-produced semiconductor laser systems in photodynamic therapy of tumours with chlorin e6 based photosensitizers)

    В. Н. Чалов, Ю. П. Истомин, Т. П. Лапцевич, Д. А. Церковский, Н. А. Петровская, А. М. Курганович

    ГУ РНПЦ онкологии и медицинской радиологии им. Н. Н. Александрова, Минск, Беларусь
    ЗАО ЛЭМТ, Минск, Беларусь

    13.45-14.00

    Coffee Break

    14.00

    Workshop Closing