3-й Белорусско-Российский семинар “Полупроводниковые лазеры и системы на их основе”

Минск, 22-24 июня 1999 г.

ПРОГРАММА И ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ

1.НТП “Лазерные технологии XXI век”
В.П. Грибковский, Ж.И. Алферов, П.А. Апанасевич, С.С. Сухно (Исполком Союза Беларуси и России), В.И. Недилько (Комитет по науке и технологиям Республики Беларусь), А.С. Рубанов (Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований).
2. Лазеры на квантовых точках: состояние и перспективы развития.
Ж.И. Алферов (Физико-технический Институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург, Россия).
3. Теория пороговых характеристик лазеров на квантовых точках.
Л.В. Асраян, Р. Сурис (Физико-технический Институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург, Россия).
4. Управление характеристиками InAs квантовых точек в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии лазерных гетероструктур.
В.П. Евтихиев (Физико-технический Институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург, Россия).
5. Влияние поверхности зерен на дефектообразование в лазерных диодах с активными слоями на основе квантовых точек.
Т.В. Безьязычная , В.В. Гилевский , Г.И. Рябцев, В.М. Зеленковский. (Институт физико-органической химии НАНБ, Институт физики им. Б.И. Степанова НАНБ, Минск, Беларусь).
6. О применении мощных светоизлучающих диодов в светооптическом приборостроении.
А.Д. Бритов, А.С. Кононов, В.В. Сысун, В.Н. Северцев (МИРЭА, СКТБ Светосигнальных приборов, ПО “Электролуч”, ВУП “Альфа”, Москва, Россия).
7. Перестраиваимые по частоте диодные лазеры на основе гетеропереходов InAsSb/InAsSbP для спектрального диапазона 2.7-3.7 мкм.
Ю.П. Яковлев (Физико-технический Институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург, Россия).
8. CW operation of a quantum dot GaAs-based diode laser in the 1.3 mm range.
V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, Yu.M. Shernyakov, D.A. Lifshits, M.V. Maximov, B.V. Volovik, I.S. Tarasov, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, and D. Bimberg (Ioffe Physico-Technical Institute, St. Petersburg, Russia, Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, Berlin, Germany).
9. Оптимизация кривых перестройки лазерных диодов с внешним резонатором.
С.В. Наливко, В.К. Кононенко, И.С. Манак (Белорусский государственный университет, Институт физики им. Б.И. Степанова НАНБ, Минск, Беларусь).
10. Мощный импульсный лазерный полупроводниковый излучатель с симметричной диаграммой излучения.
С.А. Сосновский, М.П. Суродин, В.В. Калинина (ГУНПП "Инжект", Саратов, Россия).
11. Экспериментальное исследование спектрального контура усиления и коэффициента амплитудно-фазовой связи в напряженных квантоворазмерных лазерах на основе InGaAs/GaAs, работающих в диапазоне 0,94-0,98 мкм.
А.П. Богатов, А.Е. Болтасева, А.Е. Дракин, В.П. Коняев (Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Московский физико-технический институт, г. Догопрудный, ГП НИИ “Полюс”, Москва, Россия).
12. Излучательные характеристики квантоворазмерных лазерных структур в системе GaAs/GaAlAs.
В.Д. Курносов, К.В. Курносов (ГП НИИ “Полюс”, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия).
13. 1.55 mm diode lasers with fiber grating Bragg reflector for dense WDM transmission.
С.А. Гуревич, М.С. Шаталов, Ф.Н. Тимофеев, P. Byvel (Физико-технический Институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург, Россия, Department of Electronic and Electrical Engineering, University College, London, UK).
14. Детектирование паров этанола с помощью излучения диодного лазера в ближней ИК области спектра.
А.Г. Березин, Ю.В. Бугославский, О.В. Ершов, В.Г. Кутняк, А. И. Надеждинский (Центр естественных наук Института общей физики РАН, Москва, Россия).
15. Leakage in 1.5 micron InGaAs(P) quantum well lasers.
A.B. Walker, J. Watling, A. Adams, E. O’Reilly, S. Sweeney(Department of Physics, University of Bath, Department of Electronics and Electrical Engineering, Glasgow University, Department of Physics, University of Surrey, UK
16. Лазеры для систем передачи информации.
В.П. Дураев (НИИ “Полюс”, Москва, Россия).
17. Широкая непрерывная перестройка длины волны излучения инжекционного полупроводникового лазера с внешним резонатором.
И.Г. Гончаров, А.П. Грачев, А.Ю. Бескурников (Московский государственный инженерно-физический институт, кафедра физики твердого тела, Москва, Россия).
18. Расходимость излучения и коэффициент наклона для квантоворазмерных гетеролазеров со сложным волноводом.
А.П. Богатов, С.А. Лукьянов, А.В. Устинов (Физический институт им .П.Н.Лебедева РАН, Московский инженерно-Физический институт, Москва).
19. ЖФЭ лазерные гетероструктуры раздельного ограничения InGaPAs/GaAs на длину волны 808 нм и полученные результаты по интегральным линейкам на их основе.
Е.В. Граца, К.Д. Владимирцева, А.Д. Дуб, В.Г. Волков. (НПК ПКЭ филиал ГП "МИКВЭЛ" при ПО "Север", Новосибирск, Россия)
20. Разработка конструкции интегральной линейки мощных лазерных диодов с использованием для жидкостного охлажденияы капилярно-пористой структуры.
А.М. Жмудь, А.Д. Дуб, И.П. Свириденко, В.В. Привезенцев, В.Г. Волков (НПК ПКЭ филиал ГП "МИКВЭЛ" при ПО "Север", Новосибирск, ГНЦ РФ Физико-энергетический институт, Обнинск, Russia).
21. Сравнение технико-экономических показателей изготовления мощных интегральных линеек, полученных на структурах, выращенных ЖФЭ и мосгидридной эпитаксией.
А.Д. Дуб, В.Г. Волков, К.Д. Владимирцева, А.М. Жмудь, Е.В. Граца (НПК ПКЭ филиал ГП "МИКВЭЛ" при ПО "Север", Новосибирск, Россия).
22. Стимулированное рамановское рассеяние в Nd:KGW лазерах с диодной накачкой.
А.С. Грабчиков, А.Н. Кузьмин, В.А. Лисенетский, Г.И. Рябцев, В.А. Орлович, А.А. Демидович (Институт физики им. Б.И. Степанова НАНБ, Институт молекулярной и атомной физики НАНБ, Минск, Беларусь).
23. GaN development efforts at Hewlett-Packard.
R.S. Kern (Hewlett-Packard Optoelecronics Division, San Jose, USA )
24. Optically pumped stimulated emission and lasing in GaN epitaxial layers and InGaN/GaN heterostructures grown by MOVPE.
G.P. Yablonskii, E.V. Lutsenko, I.P Marko, V.N. Pavlovskii, V.V. Valach, O. Schon, H. Protzmann, M. Lunenbuger, M. Heuken, S. Hess, K. Kyhm, R. Taylor, J.F. Ryan, B. Schineller, K. Heime (Stepanov Institute of Physics, National Academy of Sciences, Minsk, Belarus, AIXTRON AG, Germany, University of Oxford, Departement of Physics, Claredon Laboratory, UK, Institut fur Halbleitertechnik, RWTH, Aachen, Germany).
25. Квантоворазмерные структуры, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на прозрачных подложках ZnSe и ZnTe для полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком.
В.И. Козловский, Ю.В. Коростелин, Ю.Г. Садофьев, П.А. Трубенко. (Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Центр волоконной оптики Института общей физики РАН, Москва, Россия).
26. Влияние модуляции плотности тока накачки на фокусировку излучения полупроводникового лазера с электронным возбуждением.
О.В. Богданкевич, Е.Ю. Негодин, С.Б. Созинов. (Научно внедренческое предприятие "МОДУС" РАН, Московский инженерно-физический институт, Москва, Россия).
27. Оперативное управление диаграммой направленности излучения ПЛЭН путем изменения распределния плотности тока в пучке накачки.
О. В. Богданкевич, В.П .Кузнецов, С.Б. Созинов. (Лаборатория Прикладной экологии Минздрава РФ, Научно-внедренческое предприятие МОДУС РАН, Московский инженерно-физический институт, Москва, Россия).
28. Лазерные характеристики оксида цинка.
В. А. Никитенко, И.В. Пыканов, С.В. Мухин, И. П. Кузьмина, П. Г. Пасько (Московский государственный университет путей сообщения, Москва, Россия).
29. LD-pumped Yb:KYW laser with short crystal.
A.A. Demidovich, A.N. Kuzmin, G.I. Ryabtsev, M.B. Danailov, W. Strek, A.N. Titov (Institute of Molecular and Atomic Physics, National Academy of Sciences of Belarus, Stepanov Institute of Physics, National Academy of Sciences of Belarus, Minsk, Belarus, Laboratory for Lasers and Optical Fibres, Sincrotrone-Trieste, Italy, Institute for Low Temperature and Structure Research, Polish Academy of Sciences, Wroclaw Poland, Vavilov State Optical Institute, St.-Petersburg, Russia).
30. Многоэлементный полупроводниковый лазер с поперечной накачкой электронным пучком с оптической связью между ячейками.
М.М. Зверев, А.Н. Коломийский, Д.В. Перегудов (МИРЭА, Москва, ТРИНИТИ, Троицк, Россия).
31. Достижения и проблемы физики стримерных лазеров.
В.П. Грибковский, В.В. Паращук, К.И. Русаков (Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь).
32. Лазеры и светодиоды на основе гетероструктур InAsSbP/In(Ga)As(Sb) для спектроскопии в средней ИК области спектра.
М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин. (Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,
С.-Петербург).
33. Быстродействующие фотодиодные модули для лазерных систем волоконно-оптической связи.
В.Ф. Андриевский, C.А. Малышев, А.Л. Чиж (ИЭ НАНБ, Минск, Беларусь).
34. Приемно-передающее устройство цифровой волоконно-оптической системы кабельного телевидения.
Я.В. Алишев, В.Н. Урядов. (БГУИР, Минск, Беларусь).
35. Эффективные технологические методы формирования тонкопленочных покрытий для посадки кристаллов на охлаждаемые основания.
А.П. Достанко, В.В. Баранов, В.Ф. Холенков (БГУИР, Минск, Беларусь).
36. Лазерные диоды в цифровой печати на основе светочувствительного эффекта.
С.Н. Максимовский, А.Д. Бритов, А.С. Кононов (ФИАН, МИРЭА, Москва, Россия).
37. Оптимизация диодной накачки твердотельных SLAB лазеров.
Л.Н. Орлов, Г.И. Желтов, В.В. Жуковский (Институт физики им. Б.И.Степанова НАНБ, Институт молекулярной и атомной физики НАНБ, Минск, Беларусь).
38. Влияние нелинейностей усиления и рекомбинационных процессов на модуляцию длинноволновых лазерных диодов.
Л.И. Буров, С.В. Войтиков, В.П. Грибковский, М.И. Крамар, Г.И. Рябцев, К.А. Шорv (Белорусский государственный университет, Инстиут физики им. Б.И. Степанова НАНБ, Минск, Беларусь, Уэльский Университет, Бангор, Великобритания).
39. Лазерные гетероструктуры как оптоэлектронные сенсоры.
А.А. Птащенко, Ф.А. Птащенко (Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина).
40. Semiconductor lasers with extremely broad tuning range by using asymmetric dual quantum wells.
Ching-Fuh Lin, Bor-Lin Lee, Miin-Jang Chen (Institute of Electro-Optical Engineering and Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan, ROC).
41. Моделирование тепловых процессов в системе лазерный диод-алмазное основание и проблемы технологии.
В.П. Грибковский, Л.Е. Батай, А.К. Беляева, Л.А. Котомцева, А.Н. Кузьмин,
Н.А. Лойко, Н.К. Никеенко, В.В. Паращук, Г.И. Рябцев (Институт физики им.
Б.И. Степанова НАНБ, Минск, Беларусь)

Общая дискуссия. Подведение итогов. Принятие решения.