5-й Белорусско-Российский семинар
“Полупроводниковые лазеры и системы на их основе”
1–5 июня 2005 года
Минск, Беларусь
ПРОГРАММА
(электронная версия Программы в формате Adobe Acrobat)
1 июня 2005 года
8.00-18.00 - Регистрация, встречи и
дискуссии в лаборатории физики и техники полупроводников ИФ НАНБ, экскурсия
по городу
18.00 - Фуршет
2 июня 2005 года
9.00 - Открытие семинара
Ж. И. Алферов.
Вступительное слово.
9.30 - Приглашенный доклад.
Indium nitride: between amorphous and
metal/semiconductor nano-composite materials.
P. S.
Коp'ev.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10.00 - Приглашенный доклад.
GaN based optoelectronics: Physics, technology and
market perspectives.
M. Heuken.
AIXTRON AG, Aachen,
Germany.
10.30 – 11.00 Перерыв на кофе
Секция инжекционных лазеров
11.00 - Приглашенный доклад.
Высокояркостные полупроводниковые лазеры с наклонной фазовой решеткой в
резонаторе.
А. П. Богатов.
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия.
11.25 - Приглашенный доклад.
Инжекционные лазеры и фотоприемники для среднего и дальнего ИК диапазона.
Ю. П. Яковлев.
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия.
11.50-- Nonlinear gain spectra in quantum-well laser heterostructures.
V. K. Kononenko.
B. I. Stepanov Institute of Physics of NASB of
12.05 - G. I. Ryabtsev.
B. I. Stepanov Institute of Physics of NASB of Belarus,
12.20 - Генерация разностной частоты среднего и лальнего ИК диапазона в асимметричных квантоворазмерных гетеролазерах.
В.
Я.
Алешкин, А.
А.
Афоненко, А.
А.
Дубинов.
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия,
БГУ,
Минск Беларусь
12.35 - Influence of
non-radiative recombination on thermal properties of InAs/GaAs quantum dot
lasers.
I. P. Marko,, A. R.
Adams,
S. J. Sweeney,
I. R. Sellers,
D. J. Mowbray and
M. S. Skolnick,
H. Y. Liu
and K. M. Groom.
Advanced
Technology Institute, University of Surrey, Guildford, Surrey, UK,
Department
of Physics and Astronomy,University of Sheffield, Sheffield,UK,
EPSRC
National Centre for III-V Technologies, Department of Electrical and
Electronic Engineering, University of Sheffield.
12.50 - Исследование параметров квантоворазмерных лазеров с различной высотой барьера в системе
AlGaInAs/InP.
А. Ю.
Андреев, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, А. А. Мармалюк, В. И.
Романцевич, Ю. А. Рябоштан, Р. В. Чернов.
ФГУП НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха, Россия
13.05 - G. I. Ryabtsev.
B. I. Stepanov Institute of Physics of NASB of
13.20 – 15.00
Обед
15.00 - Приглашенный доклад.
Новые разработки серийных полупроводниковых излучателей.
Г. Т. Микаэлян, С. Н. Соколов, С. А.
Сосновский.
ФГУП НПП «Инжект»Саратов, Россия.
15.25 - Приглашенный доклад.
Мощные матрицы лазерных диодов с большой длительностью импульсов.
В. Г. Волков, Б. В. Граца, А. Д. Дуб,
А. П. Майоров, С. Б. Севастьянов.
НПО «Север», Новосибирск, Россия
15.50 - Подстройка
длины волны излучения лазерных гетероструктур со сверхтонкой квантовой ямой
методом постростового отжига.
В. Г. Волков, Б. В. Граца, А. Д. Дуб,
А. П. Майоров, С. Б. Севастьянов.
НПО «Север», Новосибирск, Россия
16.05 - Факторы,
ограничивающие срок службы мощных лазерных диодов спектрального диапазона 808
нм при работе в негерметичном корпусе.
В. В. Безотосный.
ФИАН им. П.Н.Лебедева, Москва
16.20 - Исследование
параметров квантоворазмерных лазеров при импульсной и непрерывной инжекции
тока накачки.
А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В.
Курносов, Р. В.Чернов.
ФГУП "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха, Россия.
16.35 -
Acousto-Optical Modulator As An External Phase Modulator In FM Sideband Diode
Laser Stabilization Technique.
V. N. Barychev, S. S.
Kurlenkov.
Institute
for Metrology of Time and Space
FGUP NII
"POLYUS" named after M.F. Stel'makh,
16.50 - Peculiarities
of a microsphere cavity for ultralow threshold laser using a single quantum
dot.
H. P.Ledneva, L. G.Astafyeva.
Stepanov Institute of Physics of the
17.10 – 17.30 Перерыв на кофе
17.30 - Приглашенный доклад.
Scalar and vectorial optical approaches to VCSEL simulations.
T. Czyszanowski and W. Nakwaski.
17.55 - Динамическая решётка - элемент обратной связи в диодных лазерах.
С. М.
Некоркин, О. Л. Антипов, С. Н. Лобанов.
Научно-исследовательский
физико-технический институт ННГУ, Нижний Новгород, Россия.
Институт
прикладной физики РАН, Нижний Новгород, Россия.
18.10 -
Параметрическая оптимизация брэгговских зеркал вертикально-излучающего лазера
средней части инфракрасного диапазона.
Ю. А. Морозов, И. С. Нефедов, В. Я. Алешкин, М. Ю. Морозов.
Институт
радиотехники и электроники РАН (Саратовское отделение), Саратов, Россия.
Институт
физики микроструктур РАН, Н.-Новгород, Россия.
Саратовский
государственный университет, Саратов, Россия.
18.25 - Генерация
суммарной гармоники в двухчиповых полупроводниковых лазерах InGaP/GaAs/InGaAs
с составным резонатором.
С. В. Морозов, В. Я. Алёшкин, Б. Н. Звонков, Н. Б. Звонков,
В. И. Гавриленко С. М. Некоркин, К. В. Маремьянин, Вл. В Кочаровский,
А. А. Бирюков.
Институт
физики микроструктур РАН, Россия, Нижний Новгород,
Научно-исследовательский
физико-технический институт ННГУ, Нижний Новгород,
Институт
прикладной физики РАН, Нижний Новгород, Россия,
Physics
Department and Institute for Quantum Studies, Texas A&M University,
College Station, USA.
18.40 - Резерв.
19.00 Ужин
3 июня 2005 года
Секция
полупроводниковые лазеры и технологии
9.00 - Приглашенный доклад.
InSb quantum dot nanostructures for mid-IR lasers.
V. A. Solov'ev, A. N. Semenov, B. Ya.
Meltser, O. G. Lyublinskaya, Ya. V. Terent'ev, S. V. Ivanov, and P. S.
Kop'ev.
Физико-технический
институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия.
9.25 - Приглашенный доклад.
Between LEDs and LDs: Superluminescent Diodes.
S. D. Yakubovich.
ООО
"Суперлюминесцентные Диоды", Москва, Россия.
9.50 - Исследование
системы суперлюминесцентный диод - полупроводниковый лазерный усилитель
спектрального диапазона 1300 нм.
В.В. Прохоров, Д.С. Шваков, С.Д.
Якубович.
ООО "Суперлюминесцентные Диоды".
10.05 - Управление
модами шепчущей галереи в системе двух взаимодействующих микрорезонаторов.
А. А. Гладыщук, К. И. Русаков, Ю. П.
Ракович, С. В. Чугунов.
Брестский Государственный Технический Университет, Брест, Беларусь.
10.20 - Optical
spectroscopy of InN layers and powders.
A. V. Mudryi.
Institute of
10.35 - Роль лития в
формировании оптических и электрофизических свойств оксида цинка
В. А. Никитенко, С. В. Мухин, И. В.
Пыканов.
Московский госудаственный университет путей сообщения, Москва, Россия.
10.50 - Е.В. Луценко.
11.05 -11.35 Перерыв
11.35 - Приглашенный доклад.
Лазеры с резонансно-периодическим усилением.
В. И. Козловский.
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия.
12.00 - Приглашенный доклад.
Лазеры с электронно-лучевой накачкой на основе полупроводниковых
гетероструктур.
М. М. Зверев, C. В. Иванов, И. М. Олихов.
МИРЭА, Москва,
Физико-технический
институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия,
НПП
"Гамма", г. Фрязино, Россия.
12.40 - Исследование
диаграммы направленности излучения лазеров на основе ZnSe - содержащих
гетероструктур с оптической и электронной накачками
М.М. Зверев, Н.А. Гамов, А.Ф. Глова,
Е.В. Жданова, С.В. Иванов,
А.Ю. Лысиков, Д.В. Перегудов, И.В. Седова, С.В. Сорокин,
В.Б. Студенов, П.С. Копьев.
МИРЭА,
Москва,
ФТИ им. А.Ф. Иоффе,
Cанкт-Петербург,
ТРИНИТИ, г.
Троицк, Моск. обл., Россия.
12.55 - Резерв. Павловский и др. Длины диффузии,
коэффициенты усиления, роль температуры роста КЯ.
13.10 - Recombination
and gain mechanisms in InGaN/GaN multiple quantum well heterostructures grown
on sapphire and silicon.
V. Z. Zubialevich, E. V.
Lutsenko,
V. N. Pavlovskii,
A. L. Gurskii
and G. P. Yablonskii, M. B. Danailov and B.
Ressel,
H. Kalisch,
Y. Dikme
and R. A. Jansen,
M. Lunenburger,
B. Schineller
and M. Heuken.
Institute
of Physics, National Academy of Sciences of Belarus, Minsk, Belarus,
Laser
Lab., Sincrotrone Trieste, Trieste, Italy,
Institut
fur Theoretische Elektrotechnik RWTH, Aachen, Germany.
AIXTRON AG, Aachen,
Germany.
13.25 - Резерв
13.40 - 14.30
Перерыв на кофе с мясными бутербродами
14.30 - Экскурсия и
банкет в Дудутках
4 июня 2005 года
Секция применение полупроводниковых
излучателей
9.00 - Приглашенный доклад.
Современные ВОЛС. Проблемы и состояние в России и за рубежом.
В. П. Дураев.
ФГУП НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха, Москва, Россия.
9.25 - Аналитические
применения диодных лазеров.
А. И. Надеждинский.
Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, Москва, Россия.
9.50 -
Низкокогерентные источники света высокой яркости на основе суперпозиции
излучения суперлюминесцентных диодов.
П. И. Лапин, Д. С. Мамедов, С. Д. Якубович, M. Wojtkovski and J. G. Fujimoto.
ООО
"Суперлюминесцентные Диоды", Москва, Россия,
Department
of Electrical Engineering and Computer Science and Research Laboratory of
Electronics, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA USA.
10.30 - Ресурсные испытания суперлюминесцентных диодов и
светоизлучающих модулей на их основе.
П. А. Лобинцов, Д. С. Мамедов, С. Д.
Якубович.
ООО "Суперлюминесцентные Диоды", Москва, Россия.
10.35 UV light
souses grown by HVPE.
A.S. Usikov et al.
TDI Inc., MD,
11.00 – 11.30 Перерыв
11.30 -
Microchip and mini lasers with intracavity Raman conversion.
V. A. Orlovich, A. S.
Grabtchikov,
A. A. Demidovich,
V. A. Lisinetskii.
Stepanov
Institute of Physics of NASB
Institute
of Molecular and Atomic Physics, Минск, Беларусь.
11.55 - Твердотельный лазер с диодной
накачкой мощностью 300 Вт.
И. В. Глухих, С. С. Поликарпов, А. В.
Степанов, С. В. Фролов.
ФГУП НИИЭФА им. Д. В. Ефремова, Санкт-Петербург, Россия.
12.20 - Современные
фототерапевтические аппараты и технологии на основе применения полупроводниковых
лазеров и светодиодов.
В. А. Мостовников, Г. Р. Мостовникова, В. Ю. Плавский, А. Б. Рябцев, И. А. Леусенко, А. В. Мостовников, Н. С. Сердюченко, В. С. Улащик, П. С. Русакевич, И. А. Рыбин, А. Л. Новаковский, Е.
А. Лосицкий.
Институт
физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск,
Белорусский государственный
медицинский университет, Минск,
Белорусская медицинская академия
последипломного образования, Минск,
Республиканский диспансер
спортивной медицины, Минск, Беларусь.
12.35 - Резерв
13.00 - Закрытие Семинара
• Программа 5-го Белорусско-Российского семинара (PDF файл)